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柏原 泰治*
JAERI-M 91-008, 48 Pages, 1991/02
8GeV級ストレージリングから放射される高エネルギーの光を単色化し、試料位置に集光するのに、サジタルフォーカシング・モノクロメータが利用される。この論文では、入射X線と結晶表面とのなす角、およびX線動力学理論から導かれるダーウィン幅を10~100keVのエネルギー範囲で、Si(111)、Si(311)、Si(333)、Ge(111)、Ge(311)、Ge(333)についてそれぞれ求めた。サジタルフォーカシング・モノクロメータを用いた集光配置では、発散した入射ビームの入射角は、ブラッグ角からはずれる。それゆえ、発散したビームの入射角とブラッグ角のずれを種々の幾何学配置で求めた後、発散ビームがモノクロメータから散乱される条件とダーウィン幅の数値結果を用いて検討した。
